到了那个时候，攻守易型，就不是我们求着你，而是你求着我们了。</P>

想到这里，陈念心里又升起了浓浓的紧迫感。</P>

他跑到卫生间快速洗了个澡，休息几分钟之后，重新又坐到了书桌前。</P>

硅材料学习的进度已经不算慢，现在他已经熟练掌握了有关晶体几何学的全部基础，进入了第四部分晶体缺陷部分的学习。</P>

其中他最关注的就是位错缺陷和氧化雾缺陷，因为这是单晶硅制造过程中最常见的缺陷，主要受流程和设备影响导致。</P>

搞清楚其中的原理，说不定可以让单晶炉的解析源点要求有所下降……</P>

于是，接下来的两个小时内，陈念把所有与晶体材料有关的知识全部都复习了一遍，知识点全部记牢，原理和应用方式也烂熟于心。</P>

但当他打开系统去看单晶炉的解析需求时，却发现解析源点需求没有一点变化。</P>

这又是怎么回事？</P>

不应该啊。</P>

陈念皱起眉头，疑惑地看着自己刚刚记下的笔记。</P>

难道是信息密度不够？</P>

但按照他之前的经验，如果是强相关的知识，对“降价”的加成还是挺大的，不应该一点反应都没有。</P>

哪怕有0.001，也算是正常情况吧。</P>

或者……是需要应用？</P>

想到这里，陈念思索了片刻，重新拿起笔开始在纸上写字。</P>

“单晶炉技术要点1：由于杂质可导致孪晶、嵌晶、孔洞、夹杂物、氢致缺陷、cop等缺陷，所以单晶炉内部清洁极为重要，需要保证主炉室、隔离阀、副炉室气密性，在目前技术条件下，可以选择用过氟橡胶进行真空密封……”</P>

“单晶炉技术要点2：单晶生长过程中如果热场温度梯度过大，晶体中产生较大热应力，则会导致晶体内部发生位错缺陷，并使其增殖。为避免此类情况，单晶炉可以选用双筒法兰结构，通水冷却，并最好使用隔水条，保证冷却均匀……”</P>

“单晶炉技术要点3：微缺陷发生的原因是……”</P>

陈念一边思考一边写，这些信息可就不是系统解析来的了，而是他根据之前的学习，包括在制造新材料时掌握的经验一点点推出来的。</P>

其中关于真空密封的部分属于老生常谈，但双筒法兰结构+隔水条冷却，则是他自己考虑后认为最合适的处理方式。</P>